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材料:N-FET硅N沟道 种类:*缘栅(MOSFET) 型号/规格:NCE05N...
描述：产品特征：卓越的功率转换效率 *低的导通功率损耗源于*低的特征导通电阻（Ron*A） *低的开关功率损耗和驱动功率损耗源...
公司介绍：产品特征：卓越的功率转换效率 *低的导通功率损耗源于...
主营： MOS、IGBT、模块、IC;M效OSET场F...
电话：
品牌/商标:NCE 型号/规格:NCE05N65/D/F 种类:*缘栅(MOSFE...
描述：产品特征：卓越的功率转换效率 *低的导通功率损耗源于*低的特征导通电阻（Ron*A） *低的开关功率损耗和驱动功率损耗源...
公司介绍：产品特征：卓越的功率转换效率 *低的导通功率损耗源于...
主营： MOSFET场效应管
电话：
封装外形:SMD(SO)/表面封装 型号/规格:NCE05N65K 材料:N-...
描述：1,该产品为Super Junction（*结）工艺MOSFET，普通5N60的典型RDS(ON)约2欧姆，7N60或者8N60约1.5欧姆，而此产品RDS(ON...
公司介绍：1,该产品为Super Junction（*结）工艺MOSFET，普通5N6...
主营： POWER IC;MOSFET;桥堆;高端散热...
电话：755-29743120
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