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分类：场效应管MOSFETIGBT模块

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型号/规格:FF1000R17IE4D_B2 品牌/商标:INFINEON（英飞凌）...

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分类：场效应管MOSFETIGBT模块

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型号/规格:FF650R17IE4DP_B2 品牌/商标:INFINEON（英飞凌）...

描述：供应英飞凌IGBT模块FF650R17IE4DP_B2 FF1000R17IE4 FF1000R17IE4P全新原装现货 IGBT常见的形式实际上是模块（模块），...

分类：场效应管MOSFETIGBT模块

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公司介绍：供应英飞凌IGBT模块FF650R17IE4DP_B2 FF1000R17IE4 FF...

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型号/规格:FF1000R17IE4 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 环...

描述：FF1400R17IE4 FF1200R12IE5 FF1500R12IE5 FF1800R12IE5 FF1800R12IE5P FF1200R17IE5 FF1500R17IE5 FF1800R17IE5 FF180...

分类：场效应管MOSFETIGBT模块

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型号/规格:FF1000R17IE4 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 环...

描述：产品信息 集电极发射饱和电压, Vce: 2V 集电极发射电压, Vceo: 1.7kV 集电极直流电流: 1000A 针脚数: 12 工作温度值: ...

分类：场效应管MOSFETIGBT模块

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公司介绍：产品信息 集电极发射饱和电压, Vce: 2V 集电极发射电...

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型号/规格:FF1000R17IE4 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 环...

描述：IGBT的栅极－发射极驱动电压VGE的保证值为±20V,如果在它的栅极与发射极之间加上超出保证值的电压,则可能会损...

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公司介绍：IGBT的栅极－发射极驱动电压VGE的保证值为±2...

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